» załóż konto» przypomnij hasło

Rozpoczęcie masowej produkcji pamięci DRAM w 10 nm przez Samsunga

Autor: Ireneusz Rak | Źródło: Engadget | Data: 2016-04-05 21:57:50

A A A | Wejść na stronę 2228 | Komentarzy 0

Rozpoczęcie masowej produkcji pamięci DRAM w 10 nm przez Samsunga

Firma Samsung rozpoczęła masową produkcję pamięci DRAM w 10 nm procesie technologicznym. Jest to pierwsza tego typu inicjatywa, która pozwoli na dostarczanie 8-gigabitowych kości DDR4. Będą one bardziej energooszczędne od poprzedników.

Samsung dokonał tego dzięki znanych do tej pory rozwiązań i nie musiał korzystać z technologii EUV. Zastosowanie litografii 10 nm przy kościach 8 Gb DDR4 poprawia uzysk z wafla krzemowego o ponad 30% w stosunku o układów 20 nm. Szybkość transferu danych w nowych produktach wynosi 3200 Mb/s. Nowe chipy pobierają także o 10-20% mniej energii, co będzie miało znaczenie w dużych sieciach korporacyjnych. Przejście na 10 nm wymagało wykorzystania litografii QPT i innej technologii projektowania komórek.

Masowa produkcja to jednak początek drogi. Oczekujemy teraz konstrukcji przeznaczonych na rynek mobilny, które montowane będę w smartfonach. Dostępne mają być moduły od 4 do 128 GB.

Warto przeczytać: Do góry

Komentarze


Konkursy

  • Wszystkie konkursy zakończone. Zapraszamy wkrótce.

  • Konkurs świąteczny 2020

    Konkurs świąteczny 2020

    Po raz kolejny przygotowaliśmy dla Was Świąteczny Konkurs, w którym możecie wygrać bardzo atrakcyjne nagrody. Aby wziąć udział w...

  • 10 urodziny vortalu!

    10 urodziny vortalu!

      Tak, już dziesięć lat jesteśmy z Wami! Z okazji naszej rocznicy przygotowaliśmy razem z naszymi partnerami dla Was kolejny konkurs z...