Rozpoczęcie masowej produkcji pamięci DRAM w 10 nm przez Samsunga

Autor: Ireneusz Rak | Źródło: Engadget | Data: 2016-04-05 21:57:50

Firma Samsung rozpoczęła masową produkcję pamięci DRAM w 10 nm procesie technologicznym. Jest to pierwsza tego typu inicjatywa, która pozwoli na dostarczanie 8-gigabitowych kości DDR4. Będą one bardziej energooszczędne od poprzedników.

Samsung dokonał tego dzięki znanych do tej pory rozwiązań i nie musiał korzystać z technologii EUV. Zastosowanie litografii 10 nm przy kościach 8 Gb DDR4 poprawia uzysk z wafla krzemowego o ponad 30% w stosunku o układów 20 nm. Szybkość transferu danych w nowych produktach wynosi 3200 Mb/s. Nowe chipy pobierają także o 10-20% mniej energii, co będzie miało znaczenie w dużych sieciach korporacyjnych. Przejście na 10 nm wymagało wykorzystania litografii QPT i innej technologii projektowania komórek.

Masowa produkcja to jednak początek drogi. Oczekujemy teraz konstrukcji przeznaczonych na rynek mobilny, które montowane będę w smartfonach. Dostępne mają być moduły od 4 do 128 GB.

Rozpoczęcie masowej produkcji pamięci DRAM w 10 nm przez Samsunga

Popularność Windowsa 10 rośnie

Meizu MX5E - nowy smartfon

Komentarze

Zobacz aktualne ceny w polskich sklepach:

Ostatnio na forum

Testy, recenzje i relacje

Aktualności