Nowe informacje o 32nm technologii logicznej Intela

Firma Intel Corporation ujawniÅ‚a nowe informacje na temat nadchodzÄ…cej, 32-nanometrowej technologii produkcji nowej rodziny procesorów Core, które wejdÄ… na rynek w 2010 roku, oraz przyszÅ‚ych produktów SoC (System on a Chip). Intel po raz pierwszy opracowaÅ‚ w peÅ‚ni funkcjonalnÄ… technologiÄ™ wytwarzania ukÅ‚adów SoC, która uzupeÅ‚nia technologiÄ™ specyficznÄ… dla procesorów — obie używajÄ… drugiej generacji tranzystorów z metalowÄ… bramkÄ… i izolatorem o wysokiej staÅ‚ej dielektrycznej (High-K and Metal Gate), aby osiÄ…gnąć najwyższÄ… w branży wydajność i najlepszÄ… charakterystykÄ™ zasilania. Firma podaÅ‚a nowe informacje o obu wersjach procesu 32-nanometrowego, a także o osiÄ…gniÄ™tym wÅ‚aÅ›nie przeÅ‚omie - 45-nanometrowej technologii high-k z metalowÄ… bramkÄ…. Kwestie te bÄ™dÄ… omawiane podczas różnych sesji na konferencji Intel Developer Forum w przyszÅ‚ym tygodniu i w referatach na konferencji International Electron Devices Meeting w grudniu.

Technologia high-k z metalowÄ… bramkÄ… odnosi dalsze sukcesy
• Od listopada 2007 roku Intel dostarczyÅ‚ ponad 200 milionów procesorów 45-nanometrowych z tranzystorami HK+MG.

Intelowski, 32-nanometrowy proces produkcyjny został zatwierdzony, a wafle z procesorami Westmere są obecnie przygotowywane do planowanego rozpoczęcia produkcji w 4. kwartale

Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalowÄ… bramkÄ… cechuje siÄ™ najwyższÄ… wydajnoÅ›ciÄ… (mierzonÄ… prÄ…dem sterowania) spoÅ›ród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej
• Tranzystory NMOS sÄ… wydajniejsze o 19 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi
• Tranzystory PMOS sÄ… wydajniejsze o 29 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi

Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalowÄ… bramkÄ… cechuje siÄ™ najwyższÄ… zgÅ‚oszonÄ… gÄ™stoÅ›ciÄ… spoÅ›ród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej
• DÅ‚ugość bramki tranzystora, miara gÄ™stoÅ›ci, wynosi 112,5 nm. DÅ‚ugość bramki wskazuje, jak gÄ™sto można upakować tranzystory na danym obszarze. Wyższa gÄ™stość oznacza wiÄ™cej tranzystorów na danej powierzchni, a zatem wiÄ™kszÄ… funkcjonalność i wyższÄ… wydajność.

Intel wprowadza 32-nanometrowÄ… technologiÄ™ produkcji SoC — najbardziej zaawansowanÄ… spoÅ›ród wszystkich technologii 32- lub 28-nanometrowych
• Intel po raz pierwszy opracowaÅ‚ w peÅ‚ni funkcjonalnÄ… technologiÄ™ wytwarzania ukÅ‚adów SoC, która uzupeÅ‚nia technologiÄ™ specyficznÄ… dla procesorów.
• Do specjalnych cech tej technologii należą tranzystory high-k drugiej generacji z metalowÄ… bramkÄ… o bardzo niskim poborze mocy, przeznaczone do obwodów z niskim prÄ…dem gotowoÅ›ci albo zawsze wÅ‚Ä…czonych, a także wysokonapiÄ™ciowe tranzystory wejÅ›cia-wyjÅ›cia.
• Proces produkcyjny obejmuje również precyzyjne i dobre jakoÅ›ciowo komponenty pasywne specyficzne dla ukÅ‚adów SoC, takie jak oporniki, kondensatory i cewki.