Hynix przedstawia wysokowydajnościową DDR4 DRAM
5093
0
Hynix Semiconductor Inc. ("Hynix") ogłosiło dziś, iż stworzyli kości pamięci DDR4 DRAM o pojemności dwóch gigabitów (2Gb) oraz DDR4 DRAM o pojemności dwóch gigabajtów (2GB). Drugi model stworzony jest w opraciu o ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module), który wprowadza innowację w technologii 30nm.
Produkty DDR4 DRAM wspierają standard JEDEC, oraz przeznaczone są głównie do mikroserwerów.
Moduły DDR4 DRAM są następną generacją pamięci, która zużywa mniej energii elektrycznej, podczas gdy trasnfer danych jest dwukrotnie większy, niż w przypadku modułów DDR3.
Największa przepustowość danych DDR4 jest określona jako 2400Mbps (Megabitów na sekundę), co czyni to ponad 80% szybszy transfer niż w przypadku przepustowości danych DDR3 1333Mbps.
Moduł DDR4 operuje na niskim napięciu (zaledwie 1.2 V), oraz przetwarza do 19.12 GB danych na sekundę, czy 64-bitowej magistrali I/O.
Hynix planuje rozpoczęcie masowej produkcji DDR4 na przełomie 2012 roku.
Docelowo w 2015 roku około 50% stacji roboczych ma zostać wyposażone w kości DDR4.
Poprzedni
Konkursy
Wszystkie konkursy zakończone. Zapraszamy wkrótce.
-
Konkurs świąteczny 2020
Po raz kolejny przygotowaliśmy dla Was Świąteczny Konkurs, w którym możecie wygrać bardzo atrakcyjne nagrody. Aby wziąć udział w...
-
10 urodziny vortalu!
Tak, już dziesięć lat jesteśmy z Wami! Z okazji naszej rocznicy przygotowaliśmy razem z naszymi partnerami dla Was kolejny konkurs z...
0
Komentarze