Masowa produkcja modułów Samsunga 4 GB DDR3 w 20 nm
4807
0
Firma Samsung rozpoczęła masową produkcję nowych pamięci RAM DDR3 4 GB w 20 nm procesie litograficznym. Jak pamiętacie zapowiadano to już od ponad roku.
Koreański producent podkreśla, że moduły wykonywane w 20 nm procesie produkcji będą 25% bardziej energooszczędne od układów robionych w 25 nm. Poza tym ich produktywnosć ma być o 30% wyższa w stosunku do 25 nm i prawie o 50% w porównaniu do 30 nm. Samsung chwali się także, że już niebawem ogłosi rozpoczęcie modułów DRAM w 10 nm.
Według oficjalnego ogłoszenia koreńczycy oczekują, że nowy proces technologiczny zapewni smartfonom i tabletom możliwość osiągnięcia wydajności komputerów przenośnych i pecetów.
Poprzedni
Warto przeczytać:
Do góry
0
Komentarze