Intel i Micron - 25nm pamięć NAND

Firmy Intel Corporation i Micron Technology, Inc. zapowiedziaÅ‚y dziÅ› pierwszÄ… na Å›wiecie 25-nanometrowÄ… technologiÄ™ NAND, która umożliwi ekonomiczne zwiÄ™kszenie pojemnoÅ›ci pamiÄ™ci w popularnych urzÄ…dzeniach konsumenckich, takich jak smartfony, osobiste odtwarzacze muzyki i multimediów (PMP) oraz nowa klasa bardzo wydajnych dysków SSD.

Pamięć NAND flash sÅ‚uży do przechowywania treÅ›ci w urzÄ…dzeniach elektroniki użytkowej. Zachowuje informacje nawet po wyÅ‚Ä…czeniu zasilania. PrzejÅ›cie na niższy wymiar technologiczny przeÅ‚oży siÄ™ na dalszy rozwój i nowe zastosowania technologii NAND. Proces 25-nanometrowy to nie tylko najmniejsza technologia NAND, ale najmniejsza technologia póÅ‚przewodnikowa na Å›wiecie — osiÄ…gniÄ™cie, które pozwoli przechowywać wiÄ™cej muzyki, wideo i innych danych we wspóÅ‚czesnych urzÄ…dzeniach elektronicznych i komputerowych.

25-nanometrowy proces technologiczny opracowany przez IM Flash Technologies (IMFT), spóÅ‚kÄ™ firm Intel i Micron, pozwala uzyskać 8 gigabajtów (GB) pamiÄ™ci w pojedynczym urzÄ…dzeniu NAND, zapewniaja wiÄ™c wiÄ™cej miejsca na dane w niewielkich gadżetach konsumenckich. Pamięć mierzy zaledwie 167 mm2 — mieÅ›ci siÄ™ w otworze pÅ‚yty CD, a mimo to zawiera 10 razy wiÄ™cej danych (standardowa pÅ‚yta CD ma pojemność 700 megabajtów).

DziÄ™ki ciÄ…gÅ‚ym inwestycjom w badania i rozwój pamiÄ™ci NAND firmy Intel i Micron podwajajÄ… gÄ™stość NAND mniej wiÄ™cej co 18 miesiÄ™cy, co prowadzi do taÅ„szych, wydajniejszych i pojemniejszych produktów. Intel i Micron zaÅ‚ożyÅ‚y IMFT w 2006 roku, zaczynajÄ…c produkcjÄ™ od procesu 50-nanometrowego, po czym w 2008 roku przeszÅ‚y na technologiÄ™ 34-nanometrowÄ…. RozpoczÄ™cie produkcji w procesie 25-nanometrowym oznacza, że obie firmy jeszcze bardziej dystansujÄ… konkurentów, wprowadzajÄ…c najmniejszÄ… litografiÄ™ póÅ‚przewodnikowÄ…, jaka jest dostÄ™pna w branży.

„Opracowanie najbardziej zaawansowanego procesu technologicznego w caÅ‚ej branży póÅ‚przewodnikowej to fenomenalny wyczyn Intela i Microna. Liczymy na to, że uda nam siÄ™ jeszcze bardziej przesunąć granice skalowania — powiedziaÅ‚ Brian Shirley, wiceprezes grupy pamiÄ™ci w firmie Micron. — Nowa technologia zapewni naszym klientom duże korzyÅ›ci, umożliwiajÄ…c produkcjÄ™ noÅ›ników o wyższej gÄ™stoÅ›ci”.
„DziÄ™ki ciÄ…gÅ‚ym inwestycjom w IMFT dysponujemy technologiÄ… i możliwoÅ›ciami produkcyjnymi, które przekÅ‚adajÄ… siÄ™ na najbardziej ekonomicznÄ… i niezawodnÄ… pamięć NAND — powiedziaÅ‚ Tom Rampone, wiceprezes i dyrektor generalny Intel NAND Solutions Group. — Spopularyzuje to stosowanie stacji póÅ‚przewodnikowych w urzÄ…dzeniach komputerowych”.

25-nanometrowe urzÄ…dzenie NAND o pojemnoÅ›ci 8 GB jest już dostÄ™pne w postaci próbek inżynierskich i ma wejść do masowej produkcji w drugim kwartale 2010 roku. Oferuje najwyższÄ… gÄ™stość pamiÄ™ci w pojedynczej koÅ›ci multi-level cell (MLC) z dwoma bitami na komórkÄ™ i mieÅ›ci siÄ™ w standardowej obudowie thin small-outline package (TSOP). Aby zwiÄ™kszyć pojemność pamiÄ™ci, można w jednej obudowie uÅ‚ożyć wiele urzÄ…dzeÅ„ 8 GB jedno na drugim. Nowe 8-gigabajtowe urzÄ…dzenie zmniejsza liczbÄ™ ukÅ‚adów o 50 procent w porównaniu z poprzednimi generacjami technologicznymi, co przekÅ‚ada siÄ™ na mniejsze, bardziej zagÄ™szczone konstrukcje i oszczÄ™dność kosztów. Na przykÅ‚ad dysk SSD o pojemnoÅ›ci 256 GB można teraz zbudować z 32 takich urzÄ…dzeÅ„ (poprzednio 64), w smartfonie o pojemnoÅ›ci 32 GB wystarczy zastosować cztery, a w karcie pamiÄ™ci o pojemnoÅ›ci 16 GB — zaledwie dwa.