DDR4 od Hynix i Samsunga
2216
0
W czasie niedawno mającej miejsce konferencji ISSCC firmy Samsung i Elpida zaprezentowały swoje najnowsze produkty, jakimi są prototypu pamięci operacyjnych DDR4. Nowe modele pracują przy napięciu 1,2 V i częstotliwości 2133 MHz w przypadku Samsunga oraz 2400 MHz dla Hynixa. Te pierwsze wykonano w 30 nm procesie produkcji, natomiast drugie w 38 nm procesie. Okazuje się, że nowe moduły będą oferowały znacznie wyższą wydajność, będą mogły pracować z niższym napięciem niż DDR3 oraz ich zapotrzebowanie na energię elektryczną spadnie nawet o 40%. Największym mankamentem będzie jednak brak kompatybilności wstecznej - inna ilość i rozkład pinów. Produkcja na masową skalę ma się rozpocząć w przyszłym roku. Sprzedaż nawet rok później.
Poprzedni
Warto przeczytać:
Do góry
381
Komentarze