GIGABYTE prezentuje kartę graficzną GV-N560448-13I

GIGABYTE, wiodący producent płyt głównych i kart graficznych, prezentuje nową kartę graficzną GV-N560448-13I. Karta jest zbudowana na chipsecie NVIDIA® GeForce® GTX 560 Ti z 448 rdzeniami graficznymi, wykonanym w procesie technologicznym 40nm i wyposażona w 1280 MB pamięci GDDR5. Zastosowany system chłodzący WINDFORCE™ 3X zapewniający optymalną temperaturę pracy, składa się z trzech cichych wentylatorów, dwóch 8mm miedzianych rurek cieplnych i dużej komory parowej. W GV-N560448-13I została również zastosowana technologia Ultra Durable VGA, opierająca się na wykorzystaniu komponentów najwyższej klasy. Karta oferuje wsparcie dla technologii Microsoft DirectX 11, NVIDIA® 3D Vision™, 3D Vision™ Surround, PhyX® oraz 2-way SLI®, dzięki czemu nawet najbardziej wymagający gracze będą mogli cieszyć się znakomitą jakością grafiki.

System chłodzenia WINDFORCE™ 3X – bez wibracji, cicho i efektywnie

Karta GV-N560448-13I jest wyposażona w innowacyjny system chłodzenia WINDFORCE™ 3X, składający się z trzech ultra cichych wentylatorów PWM, które są względem siebie pochylone co zmniejsza ich turbulencje; dwóch 8mm miedzianych rurek cieplnych i wyjątkowo dużej (140x86mm) komory parowej, zapewniającej szybsze rozpraszanie ciepła. Wykorzystanie zjawiska kapilarnego polega na skraplaniu się pary, która opadając na dno, gdzie jest podgrzewana i z powrotem zmienia stan skupienia na gazowy. Następnie wędruje ku górze, jest ochładzana, znów staje się cieczą i proces chłodzenia powtarza się. Cykle parowania i kondensacji zapewniają skuteczne chłodzenie i optymalną temperaturę pracy.

Ultra Durable VGA – komponenty najwyższej jakości

GIGABYTE w swoich produktach kładzie nacisk na wykorzystywanie komponentów najwyższej klasy. Technologia Ultra Durable VGA, zastosowana w karcie GV-N560448-13I, zapewnia większą podatność na overlocking, niższą temperaturę pracy GPU i wyższą wydajność. Znakomite parametry pracy uzyskano m.in. dzięki zastosowaniu podwójnej warstwy miedzi w płytce PCB, użyciu modułów pamięci renomowanych firm Samsung oraz Hynix, oryginalnych japońskich kondensatorów, cewek z rdzeniem ferrytowym oraz tranzystorów MOSFET o obniżonej rezystancji.