V-NAND - nowe pamięci od Samsunga

Autor: Robert Grzyb | Źródło: Guru3D | Data: 2013-08-09 10:17:56

Firma Samsung przygotowała nowe układy pamięci V-NAND (3D Vertical NAND), które będą rywalizowały na rynku m.in. z również innowacyjnymi RRAM i zastąpią znane moduł NAND.

W opisywanych pamięciach wykorzystano ulepszoną technologię Charge Trap Flash, która pozwala na układanie komórek pionowo, a nie poziomo. Pozwala to na zminimalizowanie występujących inferencji i zmniejszenie ich awaryjności. Ma to pozwolić w praktyce na zwiększenie niezawodności od 2 do 10 razy, a oprócz tego będą one dwukrotnie szybsze od swoich poprzedników. Obecnie możliwe jest umieszczenie w pojedynczej kości do 16 GB pamięci.

Jeżeli nowe moduły przyjmą się na rynku to dyski SSD powinny osiągnąć dłuższy czas swojej żywotności, jednak żeby tym samym ich cena nie zaczęła rosnąć.