3D NAND od Micron dla smartfonów
2122
0
Firma Micron ujawniła swoje pierwsze pamięci 3D NAND, które będą przeznaczone dla urządzeń mobilnych. To kolejny krok, żeby upchnąć jak największe nośniki danych na jak najmniejszej powierzchni. W tym wypadku komórki będą układane warstwowo, co pozwoli na ich znaczące zagęszczenie.
Samsung już zapowiedział swoje pamięci UFS o pojemności 256 GB dla smartfonów, które oparte są na warstwowej technologii V-NAND. To rozwiązanie ma być jednak przeznaczone dla high-endowych urządzeń mobilnych, natomiast Micron celuje w średnią i wysoką półkę. Pierwsze moduły w standardzie Universal Flash Storage będą o pojemności 32 GB, jednak do 2020 roku planowane jest wprowadzenie także wersji 1 TB.
Technologia warstwowej pamięci w urządzeniach mobilnych zapewni możliwość stosowania większej przestrzeni na pliki przy zachowaniu obecnych rozmiarów układów, a nawet ich zmniejszeniu przy zachowaniu obecnych pojemności. Dzięki temu powinno być więcej miejsca pod obudową dla np. akumulatora.
Poprzedni
1
Komentarze